以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的基础,其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中,蓝色发光二极管LED实现商品化生产成功开发蓝光LED和LD之后,科研方向转移到GaN紫外光探测器上GaN材料在微波功率方面也有相当大的应用市场。氮化镓半导体开关被誉为半导体芯片设计上一个新的里程碑。佛罗里达大学的科学家已经开发出一种可用于制造新型电子开关的重要器件,这种电子开关可以提供平稳、无间断电源。 

新型半导体材料在工业方面的应用越来越多。新型半导体材料表现为其结构稳定,拥有电学特性,而且成本低廉,可被用于制造现代电子设备中使用,我国与其他相比在这方面还有着很大一部分的差距,通常会表现在对一些基本仪器的制作和加工上,近几年来,很多的部门已经针对我国相对于其他存在的弱势,这一方面统一的组织了各个方面的群体,对其进行指导,然后共同努力去研制更加高水平的半导体材料。这样才能够在很大程度上适应我国工业化的进步和发展,为我国社会进步提供更强大的动力。首先需要进一步对超晶格量子阱材料进行研发,目前我国半导体材料在这方面的发展背景来看,应该在很大程度上去提高亮度,红绿蓝光材料以及光通信材料,在未来的发展的主要研究方向上,同时要根据市场上,更新一代的电子器件以及电路等要求进行强化,将这些光电子结构的材料,在未来生产过程中的需求进行仔细的分析和探讨,然后去满足未来世界半导体发展的方向,我们需要选择更加优化的布点,然后做好相关的开发和研究工作,这样将各种研发机构与企业之间建立好的沟通机制就可以在很大程度上实现高温半导体材料,更深一步的开发和利用。